Главная » Каталог

Разделы

Главная

Биология

Бухгалтерский учет и аудит

Право

Промышленность производство

Химия

Экономика

Информация

Расчетно-Графическая работа ППД КД213А

[pic]

Министерство высшего образования РФ.

Уральский государственный университет – УПИ

Кафедра “Технология и средства связи”

Расчетно-графическая работа

Полупроводниковый диод

«КД213А»

Преподаватель: Болтаев А.В.

Студент:

Черепанов К.А.

Группа: Р-

207

Екатеринбург

2000

Аннотация

В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры

(электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода

КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных

температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр

(температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится

малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.

Содержание

1. Краткая характеристика диода 4

2. Паспортные параметры: 4

1. Электрические 4

2. Предельные эксплуатационные 4

3. Вольт-амперная характеристика 5

1. При комнатной температуре 5

2. При повышенной 6

4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6

5. Определение величины TKUпрям TKIобр 6

6. Определение сопротивления базы rб 9

1. Приближенное 9

2. Точное 9

7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема 10

8. Библиографический список 10

9. Затраты времени на: 10

1. Информационный поиск 10

2. Расчеты 10

3. Оформление 10

Краткая характеристика диода

Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования

переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в

металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема

соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод

соединен с металлическим основанием корпуса.

Масса диода не более 4 г.

КД213А[1]

[pic]

Рисунок 1

Паспортные параметры:

Электрические

Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В

Постоянный обратный ток при, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА

Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:

КД213А…………………………………………………………...………………………300нс

Емкость диода, не более:

при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ

при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ

Предельные эксплуатационные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В

Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)? 1,5°С/Вт ……..…..………10А

Импульсный прямой ток при tи? 10мс, Q?1000………………...…………100А

Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при

tи? 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А

Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц

Тепловое сопротивление

переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт

переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт

Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С

Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С

Общая таблица параметров

|Предельные значения |Tk |Значения параметров при Т= 25?С |R т|

|параметров при Т=25?С |max| |п-к|

| |(Tп| |, |

| |мах| |?С/|

| |) | |Вт |

| |[Тм| | |

| |ах]| | |

| |?С | | |

|I | |Uоб|Uоб|Iпр| |fма| |Uпр | |tвос,| |I | |

|пр,| |р, |р |г | |х, | |(Uпр| |обр | |обр(I | |

|ср | |и, |мах|(Iп| |кГц| |, | |(tвос| |обр, | |

|max| |п |, В|р, | | | |ср) | |, обр| |ср) [I| |

| | |мах| |уд)| | | |[Uпр| |при | |обр, | |

|А | |, В| |мах| | | |, | |Tп | |и, п, | |

| | | | |, А| | | |и], | |мах),| |при Т | |

| | | | | | | | |В | |мкс | |п | |

| | | | | | | | | | | | |мах], | |

| | | | | | | | | | | | |мА | |

| | | | | | | | | | | | | | |

| |Т?С| | | |tи(| | | |Iпр | |Iп|Uпр| | |

| | | | | |tпр| | | |(Iпр| |р,|, | | |

| | | | | |), | | | |, | |и,|и, | | |

| | | | | |мс | | | |ср) | |А |В | | |

| | | | | | | | | |[Iпр| | | | | |

| | | | | | | | | |, | | | | | |

| | | | | | | | | |и], | | | | | |

| | | | | | | | | |А | | | | | |

| | | | | | | | | | | | | | | |

|10 |85 |200|200|100|10 |100|140|1 |10 |0,3 |1 |20 |0,2 |1,5|

Вольт-амперная характеристика

При комнатной температуре

[pic][pic]

При повышенной

[pic][pic]

Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С

| | | |R= от | | | |

| | | |Uпр | | | |

|Uпр |0,6 |0,7 |0,8 |0,9 |1 |1,1 |

|R= |0,3 |0,23333|0,16 |0,1125|0,0909|0,0733|

| | |33 | | |09 |33 |

| | | |r~ от | | |

| | | |Uпр | | |

|Uпр |0,1 |0,2 |0,3 |0,4 |0,5 |

|r~ |0,1 |0,06666|0,05 |0,0444|0,0384|

| | |67 | |44 |62 |

| | | |R= от | | | |

|Uобр |50 |100 |150 |200 |250 |300 |

|R= |357142|6666666|833333|487804|277777|130434|

| |9 |,7 |3 |9 |8 |8 |

| | | |r~ от | | |

|Uобр |50 |100 |150 |200 |250 |

|r~ |500000|2500000|555555|263157|115740|

| |00 |0 |6 |9 |7 |

|Uпр |0,6 |0,7 |0,8 |0,9 |1 |1,1 |

|Сдиф |0,08 |0,12 |0,2 |0,32 |0,44 |0,6 |

Зависимост Сб от Uобр

[pic]

Определение величины TKUпрям TKIобр

[pic]

Определение сопротивления базы rб

Приближенное

[pic]

Точное

[pic]

Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема

Библиографический список

1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К.,

Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.

2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М.,

Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432

с., ил.

3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л.

Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая

радиобиблиотека. Вып. 1158)

4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы.

Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред.

Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.

5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А-

под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.

Затраты времени на:

Информационный поиск-72 часf

Расчеты-1час (67 мин.)

Оформление- 6 часов (357мин.)

-----------------------

[1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США

-----------------------

Rобр

rб

Сб

Ск

[pic]