Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Техническое задание №6.

Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах.

Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем

n-полупроводника.

[pic]

| |Элемент |Характеристика |

|1 |R1 – R4 |4,7 кОм (20% |

|2 |R5 |3,3 кОм (20% |

|3 |C1 – C4 |20 пФ (20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2 |

|4 |T1 – T4 |Типовый транзистор монолитных ИС, однобазовый |

| | |полосковый. |