Главная » Каталог    
рефераты Разделы рефераты
рефераты
рефератыГлавная

рефератыБиология

рефератыБухгалтерский учет и аудит

рефератыВоенная кафедра

рефератыГеография

рефератыГеология

рефератыГрафология

рефератыДеньги и кредит

рефератыЕстествознание

рефератыЗоология

рефератыИнвестиции

рефератыИностранные языки

рефератыИскусство

рефератыИстория

рефератыКартография

рефератыКомпьютерные сети

рефератыКомпьютеры ЭВМ

рефератыКосметология

рефератыКультурология

рефератыЛитература

рефератыМаркетинг

рефератыМатематика

рефератыМашиностроение

рефератыМедицина

рефератыМенеджмент

рефератыМузыка

рефератыНаука и техника

рефератыПедагогика

рефератыПраво

рефератыПромышленность производство

рефератыРадиоэлектроника

рефератыРеклама

рефератыРефераты по геологии

рефератыМедицинские наукам

рефератыУправление

рефератыФизика

рефератыФилософия

рефератыФинансы

рефератыФотография

рефератыХимия

рефератыЭкономика

рефераты
рефераты Информация рефераты
рефераты
рефераты

Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Техническое задание №6.

Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах.

Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем

n-полупроводника.

[pic]

| |Элемент |Характеристика |

|1 |R1 – R4 |4,7 кОм (20% |

|2 |R5 |3,3 кОм (20% |

|3 |C1 – C4 |20 пФ (20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2 |

|4 |T1 – T4 |Типовый транзистор монолитных ИС, однобазовый |

| | |полосковый. |

рефераты Рекомендуем рефератырефераты

     
Рефераты @2011