Главная » Каталог    
рефераты Разделы рефераты
рефераты
рефератыГлавная

рефератыБиология

рефератыБухгалтерский учет и аудит

рефератыВоенная кафедра

рефератыГеография

рефератыГеология

рефератыГрафология

рефератыДеньги и кредит

рефератыЕстествознание

рефератыЗоология

рефератыИнвестиции

рефератыИностранные языки

рефератыИскусство

рефератыИстория

рефератыКартография

рефератыКомпьютерные сети

рефератыКомпьютеры ЭВМ

рефератыКосметология

рефератыКультурология

рефератыЛитература

рефератыМаркетинг

рефератыМатематика

рефератыМашиностроение

рефератыМедицина

рефератыМенеджмент

рефератыМузыка

рефератыНаука и техника

рефератыПедагогика

рефератыПраво

рефератыПромышленность производство

рефератыРадиоэлектроника

рефератыРеклама

рефератыРефераты по геологии

рефератыМедицинские наукам

рефератыУправление

рефератыФизика

рефератыФилософия

рефератыФинансы

рефератыФотография

рефератыХимия

рефератыЭкономика

рефераты
рефераты Информация рефераты
рефераты
рефераты

Лабораторные по проектированию РЭС

Исходные данные к циклу лабораторных работ

Назначение МЭА: контрольно-измерительная.

Условие эксплуатации: бортовые, самолетные.

Максимальная температура окружающей Среды: 400 С.

Сложность электрической схемы в эквивалентных усилителях и/или вентилях:

5000

Тип схемы аналогово-цифровая. Средний коэффициент объединения по входу

одного вентиля к1=2.

Уровень интеграции микросхем, Jc=75.

Элементная база МЭУ: бескорпусные полупроводниковые микросхемы с размерами

кристаллов Iкр х Вкр=2х2 мм; уровень интеграции кристалла Jк=5; выводы

кристаллов – гибкие.

Типы корпусов МЭУ: согласно ГОСТ 17467-79.

Способы установки МЭУ на платах: Двухсторонний.

Базовая технология изготовления МЭУ: Толстопленочная.

Вариант конструкции блока МЭА: Книжная.

Техническая долговечность: 5 лет.

Вероятность безотказной работы МЭА в конце срока эксплуатации: 0,90.

Коэффициент эксплуатации МЭА, (:0,3.

Серийность производства МЭА: 100.

Постановка задачи разработки конструкции МЭУ

Необходимо разработать принципиальный вариант конструкции МЭУ, исходя из

определенных условий. В качестве исходных, используются следующие данные:

В качестве исходных используются следующие данные:

длина кристалла: lк=2 мм;

ширина кристалла: Bк=2 мм;

уровень интеграции кристалла: Jк=5;

уровень интеграции МЭУ: Jc=75;

минимальное допустимое расстояние от края кристалла до контактной площадки:

с=0,4мм;

сторона квадрата контактной площадки: а=0,25 мм;

минимальное допустимое расстояние между пленочными элементами: d1=0,1 мм;

минимальная ширина пленочного соединительного провода: а1=0,1 мм.

Алгоритм проектирование МЭУ

Этапы разработки

| | |

|Проектирование посадочного места навесного элемента |Синтез |

| | |

|Определение числа рядов и столбцов посадочных мест |Анализ |

| | |

|Определение минимальных шагов установки навесных |Принятие решения |

|элементов | |

| | |

|Выбор размеров подложки и типов корпусов |Принятие решения |

| | |

|Уточнение размеров подложки и типа корпуса |Анализ |

Проектирование посадочного места навесного элемента (НЭ)

Исходные данные:

l=2 мм, длина навесного элемента;

c=0,4 мм, расстояние между НЭ и выводами;

а=0,25 мм, длина контактной площадки под выводы;

b=2 мм, ширина НЭ;

a1=0.1 мм, расстояние между выводами;

u=0,25 мм, ширина контактной площадки под выводы;

Мк=5, количество задействованных выводов НЭ.

Результаты:

Мкв=32, максимальное количество контактных площадок под выводы вокруг

кристалла;

Lов =3,3 мм, длина посадочного места кристалла;

Bов=3,3 мм, ширина посадочного места кристалла.

В приложении 1 приведен эскиз посадочного места кристалла с гибкими

выводами

Определение числа рядов и столбцов посадочных мест

Исходные данные:

Nк =15, число НЭ на подложке.

Результаты:

Mx=3, количество горизонтальных рядов кристаллов на плате;

My=5, количество вертикальных столбцов.

Определение минимальных шагов установки навесных элементов

Исходные данные:

d1=0,1 мм, минимальная ширина пленочного соединительного провода.

Результаты:

hxmin=3,6, минимальный шаг установки по горизонтали кристаллов;

hymin=3,6, минимальный шаг установки по вертикали;

M1=67, число проводников в первом слое;

M2=13, число проводников во втором слое;

M1L=34, число вертикальных линий, на которых группируются проводники

первого слоя;

M2L = 17, число горизонтальных линий, на которых группируются проводники

второго слоя.

Выбор размеров подложки и типов корпусов МкСБ.

Принятие решения: выводы микросборки располагаются вдоль больших сторон

МкСБ.

Исходные данные:

d1 = 1мм. , размер технологической зоны.

Mмс = [pic], кол-во задействованных выводов МЭУ.

Результаты:

Lmin = 18,3 мм. , длина подложки;

Bmin = 15,83 мм. , ширина подложки.

По критериям Lmin( L и Bmin( B выбираем корпус МЭУ:

| | | | |Максим. |Разм.полезно|Масса|

|Наимено-|Тип|Выводы |Габаритн. |шаг |й |, |

| | | |разм., |уста-новки|внутр.полост|г |

|вание |кор| |мм |, мм |и, | |

| |- | | | |мм | |

корпуса |пуса |тип |кол. |lx |ly |lz |lx1 |ly1 |l |в |z |G | |155.15-1 |МС

|ШТ |14 |29,5 |19,5 |5,0 |40,0 |25,0 |25,0 |15,0 |2,0 |5,0 | |МС —

металлостеклянный;

ШТ — штыревые;

2. Уточнение размеров подложки и типа корпуса.

Исходные данные:

h = 0,1мм. , шаг координатной сетки топологии коммутационной пленочной

платы.

Результаты:

Lmin=14,7мм. , длина полезной внутренней полости корпуса МЭУ;

Bmin= 6,8мм. , ширина полезной внутренней полости корпуса МЭУ;

Мкс=13, кол- во задействованных выводов МЭУ.

Корпус: 155.15-1 , выбранный корпус.

4. Выводы по работе:

В данной работе было спроектировано посадочное место навесного элемента,

определено число рядов и столбцов посадочных мест, минимальных шагов

установки кристаллов. Также был выбран вид расположения выводов микросборки

и тип корпуса МЭУ.

-----------------------

МГАПИ

Лабораторная работа

Группа ПР-7

Специальность 2008

Студент

.

рефераты Рекомендуем рефератырефераты

     
Рефераты @2011