Главная » Каталог    
рефераты Разделы рефераты
рефераты
рефератыГлавная

рефератыБиология

рефератыБухгалтерский учет и аудит

рефератыВоенная кафедра

рефератыГеография

рефератыГеология

рефератыГрафология

рефератыДеньги и кредит

рефератыЕстествознание

рефератыЗоология

рефератыИнвестиции

рефератыИностранные языки

рефератыИскусство

рефератыИстория

рефератыКартография

рефератыКомпьютерные сети

рефератыКомпьютеры ЭВМ

рефератыКосметология

рефератыКультурология

рефератыЛитература

рефератыМаркетинг

рефератыМатематика

рефератыМашиностроение

рефератыМедицина

рефератыМенеджмент

рефератыМузыка

рефератыНаука и техника

рефератыПедагогика

рефератыПраво

рефератыПромышленность производство

рефератыРадиоэлектроника

рефератыРеклама

рефератыРефераты по геологии

рефератыМедицинские наукам

рефератыУправление

рефератыФизика

рефератыФилософия

рефератыФинансы

рефератыФотография

рефератыХимия

рефератыЭкономика

рефераты
рефераты Информация рефераты
рефераты
рефераты

Фоторезисторы

ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный

полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется

степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит

явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение

электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина

фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в

зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой

полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя

токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока

электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых

типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ). В

зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала

фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые,

сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые.

Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью , стабильностью ,

экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом

заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.

Основные характеристики фотосопротивлений.

1. Рабочая площадь.

[pic]

1. Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в

обычных приборах от 1000 до 100000000 ом.

2. Удельная чувствительность

где:

[pic]

-фототок, равный разности токов в темноте и на свету;

Ф - световой поток;

U - приложенное напряжение.

4. Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1 до 1000 в ).

5. Среднее относительное изменение сопротивления, % -

обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %,

[pic]

, где :

[pic]

-сопротивление в темноте;

[pic]

-сопротивление в освещенном состоянии.

6. Средняя кратность изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ).

Определяется соотношением :

[pic]

Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные

устройства автоматики.

Схема включения фоторезисторов:

При определенном освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а,

следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного

для работы какого- либо устройства ( схематично показано в виде некоторого

сопротивления нагрузки ).

С П И С О К Л И Т Е Р А Т У Р Ы

Белов И. Ф., Дрызго Е. В. Справочник по радиодеталям. М., « Советское

радио», 1973.

2. Шифман Д. Х. Системы автоматического управления. М., «Энергия», 1965.

-----------------------

Фоторезистор

Сопротивление

нагрузки

Источник питания

рефераты Рекомендуем рефератырефераты

     
Рефераты @2011