Электролучевая трубка с магнитной отклоняющей системой

План

ЭЛТ с магнитной отклоняющей системой. 3

Статические и физические параметры транзистора. 6

Физические параметры транзистора. 6

1. Токи в транзисторе. 6

2. Обратные токи переходов. 6

3. Коэффициенты передачи тока. 7

Статические параметры транзистора. 8

ЭЛТ с магнитной отклоняющей системой.

Электронно-лучевыми приборами называют такие электронные

электровакуумные приборы, в которых используется поток электронов,

сконцентрированный в форме луча или пучка лучей. Электронно-лучевой прибор,

имеющий форму трубки, обычно называют электронно-лучевой трубкой.

Управление пространственным положением луча осуществляется с помощью

электрических (электростатическая отклоняющая система) и магнитных

(магнитная отклоняющая система) полей, а управление плотностью тока – с

помощью электрических полей. Электронно-лучевые приборы используются для

получения видимого изображения электрических сигналов, а также для

запоминания (хранения) сигналов.

Отклоняющая система служит для управления положением луча в

пространстве. В трубках с магнитным управлением отклоняющая система состоит

из двух пар отклоняющих катушек.

Магнитная отклоняющая система обычно содержит две пары катушек,

надеваемых на горловину трубки и образующих магнитные поля во взаимно

перпендикулярных направлениях. Рассмотрим отклонение электрона магнитным

полем одной пары катушек, считая, что поле ограничено диаметром катушки и в

этом пространстве однородно. На рис.1 силовые линии магнитного поля

изображены уходящими от зрителя перпендикулярно плоскости чертежа. Электрон

с начальной скоростью V0 движется в магнитном поле, вектор индукции B

которого нормален к вектору скорости V0, по окружности с радиусом

По выходе из магнитного поля электрон продолжает движение по

касательной к его криволинейной траектории в точке выхода из поля. Он

отклонится от оси трубки на некоторую величину z = L tg(. При малых углах (

( tg (; z ( L(.

Величина центрального угла ( = s/r ( l1/r, где s – кривая, по которой

движется электрон в поле В. Подставляя сюда значение r, получаем:

Таким образом, отклонение электрона равно:

Выражая скорость V0 электрона через напряжение на аноде, получаем:

Учитывая, что индукция магнитного поля пропорциональна числу ампер-

витков wI, можно записать:

Конструкция отклоняющих катушек. Отклоняющие катушки с

ферромагнитными сердечниками позволяют увеличить плотность потока магнитных

силовых линий в необходимом пространстве. Катушки с ферромагнитными

сердечниками применяются только при низкочастотных отклоняющих сигналах,

так как с увеличением частоты отклоняющего напряжения возрастают потери в

сердечнике. В телевизионных и радиолокационных электронно-лучевых трубках

обычно применяются отклоняющие катушки без сердечника. Стремясь получить

более однородное магнитное поле, края катушки отгибают, а саму катушку

изгибают по форме горловины трубки. Витки в катушке распределяют

неравномерно: Число витков на краях обычно в 2 – 3 раза больше, чем в

середине. Для уменьшения поля рассеяния катушки без сердечника обычно

заключаются в стальной экран.

Достоинства и недостатки электростатической и магнитной систем

отклонения. Отклонение луча магнитным полем в меньшей степени зависит от

скорости электрона, чем для электростатической системы отклонения. Поэтому

магнитная отклоняющая система находит применение в трубках с высоким

анодным потенциалом, необходимым для получения большой яркости свечения

экрана.

К недостаткам магнитных отклоняющих систем следует отнести

невозможность их использования при отклоняющих напряжениях с частотой более

10 – 20 кГц, в то время как обычные трубки с электростатическим отклонением

имеют верхний частотный предел порядка десятков мегагерц и больше. Кроме

того, потребление магнитными отклоняющими катушками значительного тока

требует применения мощных источников питания.

Достоинством магнитной отклоняющей системы является ее внешнее

относительно электронно-лучевой трубки расположение, что позволяет

применять вращающиеся вокруг оси трубки отклоняющие системы.

Статические и физические параметры транзистора.

Транзистором называют электропреобразовательный полупроводниковый

прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для

усиления мощности, имеющий три или более выводов.

Физические параметры транзистора.

Токи в транзисторе определяются рядом физических процессов в

электронно-дырочных переходах и в объеме базы, характеризуемых

соответствующими параметрами. Физические параметры играют важную роль при

анализе работы транзистора на переменном токе с сигналами малых амплитуд.

Большинство этих параметров являются дифференциальными величинами и

используются в качестве так называемых малосигнальных параметров

транзистора.

Рассмотрим основные процессы и физические параметры транзистора.

Токи в транзисторе.

В активном режиме работы транзистора дырки, инжектируемые из

эмиттера, движутся затем в базе и втягиваются полем коллекторного перехода,

образуя коллекторный ток IK. В следствие рекомбинации в базе и других

причин IK < IЭ. На основании закона Кирхгофа для токов в цепях электродов

транзистора можно записать: IЭ = IK + IБ.

В активном режиме к эмиттерному переходу приложено прямое напряжение

и через переход течет ток IЭ, который содержит составляющие IЭр и IЭп –

токов инжекции дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер,

составляющую IЭr – тока рекомбинации в эмиттерном переходе, а также ток

утечки IЭу: IЭ = IЭр + IЭп + IЭr + IЭу.

Токами IЭп, IЭr, IЭу пренебрежем: IЭ ( IЭр.

Ток коллектора – это ток через переход, к которому в активном режиме

приложено обратное напряжение. Помимо обратного тока через коллекторный

переход протекает ток экстракции дырок из базы в коллектор равный дырочной

составляющей эмиттерного тока за вычетом тока, обусловленного рекомбинацией

дырок в базе.

Ток базы может быть определен как разность токов эмиттера и

коллектора.

Обратные токи переходов.

Обратным током коллектора (или эмиттера) называют ток при заданном

обратном напряжении на коллекторном (или эмиттерном) переходе при условии,

что цепь другого перехода разомкнута: IЭ = 0 (или IК = 0)

Поскольку обратный ток коллектора, определяемый процессами генерации

носителей в коллекторе, базе и коллекторном переходе, представляет собой не

управляемую процессами в эмиттерном переходе часть коллекторного тока. Ток

IКБО играет важную толь в работе транзистора в активном режиме, когда

коллекторный переход находится под обратным напряжением.

Соответственно обратный ток эмиттера IЭБО представляет собой

составляющую эмиттерного тока, значения которого определяется процессами

генерации носителей в эмиттере, базе и в области эмиттерного перехода. Этот

ток имеет важное значение при работе транзистора в инверсном режиме

(эмиттерный переход включен в обратном направлении).

Помимо токов IКБО и IЭБО, измеряемых в режиме холостого хода в цепи

эмиттера или коллектора соответственно, в транзисторе различают также

обратные токи IКБК и IЭБК.

Ток IКБК, текущий через коллекторный переход при обратном напряжении

на этом переходе, измеряется в условиях короткого замыкания цепи эмиттер –

база. Аналогично ток IЭБК – это ток в эмиттерном переходе при обратном

напряжении на этом переходе и при условии, что цепь коллектор – база

замкнута накоротко.

Коэффициенты передачи тока.

С учетом понятия обратного тока коллектора ток IК для активного

режима работы следует представить как сумму двух составляющих: тока IКБО и

части эмиттерного тока, который определяется потоком носителей,

инжектированных в базу и дошедших до коллекторного перехода.

Следовательно,

IК = ( IЭ + IКБО.

Величина

называется коэффициентом эмиттерного тока. Обычно ( < 1. В инверсном

режиме (коллекторный переход включен в прямом, а эмиттерный – в обратном

направлении) ток эмиттера равен:

IЭ = (1IК + IЭБО.

Величина

называется инверсным коэффициентом передачи коллекторного тока. Как

правило, (1 < (.

С помощью коэффициентов ( и (1 можно установить связь между обратными

токами:

IКБО = IКБК(1 – ((1);

IЭБО = IЭБК(1 – ((1);

В транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, входным током

служит ток базы IБ, а выходным, как и в схеме с ОБ, то коллектора IК. Для

схемы ОЭ, широко применяемой в радиотехнических устройствах на

транзисторах, используется коэффициент передачи базового тока (. Выражение

для ( можно получить, решая его относительно тока IК:

Запишем это выражение в виде

IК = ( IБ + IКЭО.

Где

и

- обратный ток коллекторного перехода в схеме ОЭ при IБ = 0.

Выражение для коэффициента передачи базового тока ( легко получить

используя эти соотношения:

Статические параметры транзистора.

Статические параметры транзистора характеризуют свойства прибора в

статическом режиме, т.е. в том случае, когда к его электродам подключены

лишь источники постоянных напряжений.

Система статических параметров транзистора выбирается таким образом,

чтобы с помощью минимального числа этих параметров можно было бы наиболее

полно отобразить особенности статических характеристик транзистора в

различных режимах. Можно выделить статические параметры режима отсечки,

активного режима и режима насыщения. К статическим параметрам относятся

также величины, отображающие характеристики в близи пробоя.

Статические параметры в активном режиме.

Статическим параметром для этого режима служит статический

коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

[pic]

Коэффициент h21Э является интегральным коэффициентом передачи

базового тока (, однако, статический коэффициент определяет как [pic]

пренебрегая током ІКБО, что вполне допустимо при условии, что ІБ ( 20ІКБО.

В качестве статического параметра активного режима используется также

статическая крутизна прямой передачи в схеме ОЭ:

[pic]

Статические параметры в режиме отсечки.

В качестве этих параметров используются обратные токи в транзисторе.

Статические параметры режима отсечки в значительной мере определяют

температурную нестабильность работы транзистора и обязательно используются

во всех расчетах схем на транзисторах. К числу этих параметров относятся

следующие токи:

- обратный ток коллектора ІКБО – это ток через коллекторный переход

при заданном обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом

выводе эмиттера;

- обратный ток эмиттера ІЭБО – это ток через эмиттерный переход при

заданном обратном напряжении эмиттер – база и разомкнутом выводе

коллектора;

- обратный ток коллектора ІКБК – это ток через коллекторный переход

при заданном обратном напряжении коллектор – база и при замкнутых

накоротко выводах эмиттера и базы;

- обратный ток ІЭБК – это ток через эмиттерный переход при заданном

обратном напряжении эмиттер – база и при замкнутых накоротко

выводах коллектора и базы;

- обратный ток коллектор – эмиттер – ток в цепи коллектор – эмиттер

при заданном обратном напряжении UКЭ. Этот ток обозначается: ІКЭО

– при разомкнутом выводе базы; ІКЭК – при коротко замкнутых

выводах эмиттера и базы; ІКЭR – при заданном сопротивлении в цепи

базы – эмиттер; ІКЭX – при заданном обратном напряжении UБЭ.

Статические параметры в режиме насыщения.

В качестве параметров в этом режиме используются величины напряжений

между электродами транзистора, включенного по схеме ОЭ.

- Напряжение насыщение коллектор – эмиттер UКЭ нас – это напряжение

между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при

заданных токах базы и коллектора;

- напряжение насыщение база – эмиттер UБЭ нас – это напряжение между

выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах

базы и коллектора.

При измерениях UКЭ нас и UБЭ нас ток коллектора задается чаще всего

равным номинальному значению, а ток базы задается в соответствии с

соотношением ІБ = КнасІ’Б, где Кнас коэффициент насыщения; І’Б ток на

границе насыщения.

Статические параметры в области пробоя.

Основными параметрами в этом режиме служат:

- пробивное напряжение коллектор – база UКБО проб – это пробивное

напряжение между выводами коллектора и базы при заданном обратном

токе коллектора ІКБО и токе ІЭ = 0.

- пробивное напряжение коллектор – эмиттер – пробивное напряжение

между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе ІК.

Напряжение UКЭО проб определяется соотношением

[pic]

-----------------------

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

(

(

r

Z

X

L

l1

l2

V0

01

Рис.1. Траектория движения электронов в магнитной отклоняющей системе.

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]