|
Основные типы датчиков и их назначение
я21.я0
я2Понятие датчикая0
Человек глазами воспринимает форму, размеры и
цвет окружающих
предметов,
ушами слышит звуки, носом чувствует запахи. Обычно гово-
рят о
пяти видах ощущений, связанных со зрением, слухом, обонянием,
вкусом и осязанием. Для формирования ощущений человеку необходимо
внешнее
раздражение определенных органов - "датчиков чувств". Для
различных видов
ощущений роль датчиков играют определенные органы
чувств:
Зрение......Глаза
Слух........Уши
Вкус........Язык
Обоняние....Нос
Осязание....Кожа
Однако для получения ощущения одних только
органов чувств недос-
таточно. Например,
при зрительном ощущении совсем не значит, что
человек
видит только благодаря глазам. Общеизвестно, что через гла-
за
раздражения от внешней среды в виде сигналов по нервным волокнам
передаются
в головной мозг и уже в нем формируется ощущение большо-
го и
малого, черного и белого и т.д. Эта
общая схема возникновения
ощущения
относится также к слуху, обонянию и другим видам ощущения,
т.е. фактически внешние раздражения как нечто
сладкое или горькое,
тихое
или громкое оцениваются головным мозгом,
которому необходимы
датчики,
реагирующие на эти раздражения.
Аналогичная система формируется и в
автоматике. Процесс управ-
ления
заключается в приеме информации о состоянии объекта управле-
ния,
ее контроле и обработке центральным
устройством и выдачи им
управляющих
сигналов на исполнительные устройства.
Для приема ин-
формации
служат датчики неэлектрических величин. Таким образом,
контролируется
температура, механические
перемещения, наличие или
отсутствие
предметов, давление, расходы жидкостей и газов, скорость
вращения
и т.п.
я22.
Принцип действия и классификацияя0
Датчики информируют о состоянии внешней
среды путем взаимодейс-
твия с ней и преобразования реакции на это
взаимодействие в элект-
рические
сигналы. Существует множество явлений
и эффектов, видов
преобразования свойств
и энергии, которые можно
использовать для
- 2 -
создания
датчиков. В табл. 1 приведен сравнительно скромный пере-
чень.
При классификации датчиков в качестве
основы часто используется
принцип
их действия, который, в свою очередь, может базироваться на
физических
или химических явлениях и свойствах.
я23.
Основные видыя0
я_Температурные датчикия. С температурой мы
сталкиваемся ежедневно,
и это наиболее знакомая нам физическая
величина. Среди прочих
датчиков температурные отличаются
особенно большим разнообра-
зием
типов и являются одним из самых
распространненых (табл. 2)
Стеклянный термометр со столбиком ртути
известен с давних вре-
мен и
широко используется в наши дни.
Терморезисторы сопротивления
которых
изменяется под влиянием температуры,
используются довольно
часто в
разнообразных устройствах благодаря сравнительно малой сто-
имости
датчиков данного типа. Существует три
вида терморезисторов:
с
отрицательной характеристикой (их сопротивление уменьшается с по-
вышением
температуры), С положительной характеристикой (с повышени-
ем
температуры сопротивление увеличивается) и с критичной характе-
ристикой
(сопротивление увеличивается при пороговом значении темпе-
ратуры). Обычно сопротивление под влиянием
температуры изменяется
довольно резко.
Для расширения линейного участка
этого изменения
параллельно
и последовательно терморезистору присоединяются резис-
торы.
Термопары особенно широко применяются в
области измерений. В
них используется эффект Зеебека: в спае из разнородных металлов
возникает
ЭДС, приблизительно пропорциональная
разности температур
между самим
спаем и его выводами. Диапазон
измеряемых термопарой
температур
зависит от применяемых металлов. В термочувствительных
ферритах
и конденсаторах используется влияние температуры соответс-
твенно
на магнитную и диэлектрическую проницаемость,
начиная с не-
которого
значения, которое называется температурой Кюри и для конк-
ретного
датчика зависит от применяемых в нем материалов. Термочувс-
твительные диоды
и тиристоры относятся к полупроводниковым датчи-
кам, в которых используется температурная
зависимость проводимости
pДДn-перехода (обычно
на кристалле кремния).
В последнее время
практическое
применение нашли так называемые интегральные
темпера-
- 3 -
турные датчики,
представляющие собой
термочувствительный диод на
одном
кристалле с периферийными схемами, например усилителем и др.
я_Оптические датчикия. Подобно
температурным оптические датчики от-
личаются большим разнообразием и
массовостью применения. Как
видно
из табл. 3, по принципу
оптико-электрического преобразования
эти
датчики можно разделить на четыре типа:
на основе эффектов фо-
тоэлектронной
эмиссии, фотопроводимости,
фотогальванического и пи-
роэлектрических.
я1Фотогальваническая эмиссия, или внешний фотоэффект,я0 - это ис-
пускание электронов при падении света физическое
тело. Для вылета
электронов
из физического тела им необходимо
преодолеть энергети-
ческий барьер.
Поскольку энергия фотоэлектронов пропорциональна
я1hc/ля0
(гдея1 hя0 - постоянная Планка,я1 ся0 - скорость света,я1 ля0 - длина вол-
ны
света), то, чем короче длина волны облучающего света, тем больше
энергия
электронов и легче преодоление ими указанного барьера.
я1Эффект фотопроводимости, или внутренний фотоэффект,я0 - это из-
менение
электрического сопротивления физического тела при облучении
его
светом. Среди материалов, обладающих эффектом фотопроводимости,
-
ZnS, CdS, GaAs, Ge, PbS и др. Максимум
спектральной чувствитель-
ности CdS приходится приблизительно на свет с
длиной волны 500-550
нм, что
соответствует приблизительно середине зоны чувствительности
человеческого
зрения. Оптические датчики, работающие на эффекте фо-
топроводимости, рекомендуется использовать в экспонометрах
фото- и
кинокамер,
в автоматических выключателях и регуляторах света, обна-
ружителях
пламени и др. Недостаток этих датчиков
- замедленная ре-
акция
(50 мс и более).
я1Фотогальванический эффектя0 заключается
в возникновении ЭДС на
выводах
pДДn-перехода в облучаемом светом полупроводнике. Под воз-
действием
света внутри pДДn-перехода появляются свободные электроны
и дырки
и генерируется ЭДС. Типичные
датчики, работающие по этому
принципу, - фотодиоды, фототранзисторы. Такой же принцип действия
имеет оптико-электрическая часть двухмерных
твердотельных датчиков
изображения, например датчиков на приборах с
зарядовой связью
(ПЗС-датчиков). В качестве материала подложки для
фотогальваничес-
ких
датчиков чаще всего используется кремний.
Сравнительно высокая
скорость отклика и большая чувствительность в
диапазоне от ближней
инфракрасной
(ИК) зоны до видимого света обеспечивает этим датчакам
- 4 -
широкую
сферу применения.
я1Пироэлектрические эффектыя0 - это
явления, при которых на
по-
верхности
физического тела вследствие изменений поверхностного тем-
пературного
"рельефа" возникают электрические заряды, соответствую-
щие
этим изменениям. Среди материалов,
обладающих подобными свойс-
твами: и множество других так
нызываемых пи-
роэлектрических
материалов. В корпус датчика встроен
полевой тран-
зистор,
позволяющий преобразовывать
высокое полное сопротивление
пиротехнического
элемента с его оптимальными электрическими заряда-
ми в
более низкое и оптимальное выходное сопротивление датчика. Из
датчиков этого типа наиболее часто используются
ИК-датчики.
Среди оптических датчиков мало найдется
таких, которые облада-
ли бы
достаточной чувствительностью во всем
световом диапазоне.
Большинство датчиков имеет оптимальную чувствительность
в довольно
узкой
зоне ультрафиолетовой, или
видимой, или инфракрасной части
спектра.
Основные преимущества перед датчиками
других типов: 1. Возмож-
ность бесконтактного обнаружения. 2.
Возможность (при соот-
ветствующей оптике) измерения объектов
как с чрезвычайно большими, так и с
необычайно малыми раз-
мерами.
3. Высокая скорость отклика. 4. Удобство применения интег-
ральной технологии (оптические дат-
чики, как правило,
твердотельные и полупроводниковые),
обеспечивающей малые размеры и
большой срок службы.
5. Обширная сфера использования:
измерение различных физичес-
ких величин, определение формы, распознавания объектов и
т.д.
Наряду с преимуществами оптические
датчики обладают и некото-
рыми
недостатками, а именно чувствительны к загрязнению, подвержены
влиянию
постороннего света, светового
фона, а также температуры
(при
полупроводниковой основе).
я_Датчики давленияя. В датчиках давления
всегда испытывается боль-
шая потребность, и они находят весьма
широкое применение.
Принцип
регистрации давления служит основой для многих других типов
датчиков,
например датчиков массы, положения, уровня и расхода жид-
- 5 -
кости и
др. В подавляющем большинстве
случаев индикация давления
осуществляется
благодаря деформации упругих тел,
например диафраг-
мы, трубки
Прудона, гофрированной
мембраны. Такие датчики имеют
достаточную
прочность, малую стоимость, но в них затруднено получе-
ние
электрических сигналов. Потенциалометрические (реостатные), ем-
костные,
индукционные, магнитнострикционные, ультразвуковые датчики
давления имеют
на выходе электрический сигнал, но сравнительно
сложны
в изготовлении.
В настоящее время в качестве датчиков
давления все шире ис-
пользуются
тензометры. Особенно перспективными представляются полк-
проводниковые
тензометры диффузионного типа. Диффузионные тензомет-
ры на
кремниевой подложке обладают высокой чувствительностью, малы-
ми размерами и легко интегрируются с
периферийными схемами. Путем
травления
по тонкопленочной технологии на
поверхности кристалла
кремния
ся1 nя0-продимостью формируется круглая диафрагма. На краях ди-
афрагмы
методом диффузии наносятся пленочные
резисторы, имеющие
я1pя0-проводимость.
Если к диафрагме прикладывается давление, то сопро-
тивление
одних резисторов увеличивается, а
других - уменьшается.
Выходной
сигнал датчика формируется с помощью мостовой схемы, в ко-
торою
входят эти резисторы.
Полупроводниковые датчики давления
диффузионного типа, по-
добные
вышеописанному, широко используются в автомобильной электро-
нике, во всевозможных компрессорах. Основные
проблемы - это темпе-
ратурная
зависимость, неустойчивость к внешней среде и срок службы.
я_Датчики влажности и газовые
анализаторыя.. Влажность - физичес-
кий
параметр, с которым,
как и с температурой, человек
сталкивается с самых древних времен;
однако надежных
датчиков
не было в течение длительного периода.
Чаще всего для по-
добных
датчиков использовались человеческий или конский волос, уд-
линяющиеся
или укорачивающиеся при изменении влажности. В настоящее
время
для определения влажности используется полимерная пленка,
покрытая
хлористым литием, набухающим от
влаги. Однако датчики на
этой
основе обладают гистерезисом, нестабильностью характеристик во
времени и узким диапазоном измерения. Более современными являются
датчики, в которых используются керамика и твердые
электролиты. В
них
устранены вышеперечисленные недостатки. Одна из сфер применения
датчиков
влажности - разнообразные регуляторы атмосферы.
- 6 -
Газовые датчики широко
используются на производственных
предприятиях
для обнаружения разного рода вредных газов, а в домаш-
них помещениях
- для обнаружения утечки горючего газа.
Во многих
случаях
требуется обнаруживать определенные виды газа и желательно
иметь
газовые датчики, обладающие избирательной характеристикой от-
носительно
газовой среды. Однако реакция на другие
газовые компо-
ненты
затрудняет создание избирательных газовых датчиков, обладаю-
щих
высокой чувствительностью и надежностью.
Газовые датчики могут
быть выполнены на основе МОП-транзисторов, гальванических элемен-
тов,
твердых электролитов с использованием явлений катализа, интер-
ференции, поглощения
инфракрасных лучей и т.д.
Для регистрации
утечки
бытового газа, например сжиженного
природного или горючего
газа типа
пропан, используется главным
образом полупроводниковая
керамика, в частности , или устройства, работающие по принципу
каталитического
горения.
При использовании датчиков газа и влажности
для регистрации
состояния
различных сред, в том числе и агрессивных, часто возника-
ет
проблема долговечности.
я_Магнитные датчикия. Главной особеностью
магнитных датчиков, как
и оптических, является быстродействие и
возможность обнару-
жения и
измерения бесконтактным способом, но в
отличие от оптичес-
ких
этот вид датчиков не чувствителен к загрязнению. Однако в силу
характера
магнитных явлений эффективная работа этих датчиков в зна-
чительной
мере зависит от такого параметра, как расстояние, и обыч-
но для
магнитных датчиков необходима достаточная
близость к воз-
действующему
магнитному полю.
Среди магнитных датчиков хорошо известны
датчики Холла. В нас-
тоящее время
они применяются в качестве дискретных элементов, но
быстро
расширяется применение элементов Холла в виде ИС, выполнен-
ных на
кремниевой подложке. Подобные ИС
наилучшим образом отвечают
современным
требованиям к датчикам.
Магниторезистивные полупроводниковые
элементы имеют давнюю ис-
торию
развития. Сейчас снова оживились
исследования и разработки
магниторезистивных
датчиков, в которых используется ферромагнетики.
Недостатком
этих датчиков является узкий динамический диапазон об-
наруживаемых
изменений магнитного поля. Однако высокая чувствитель-
ность,
а также возможность создания многоэлементных датчиков в виде
- 7 -
ИС
путем напыления, т. е. технологичность
их производства, состав-
ляют
несомненные преимущества.
я_Список использованной литературы
1. Како Н., Яманэ Я. Датчики и микро-ЭВМ. Л: Энергоатомиз-
дат, 1986г.
2. У.Титце, К.Шенк. Полупроводниковая
схемотехника. М: Мир,
1982г.
3. П.Хоровиц, У.Хилл.
Искусство схемотехники т.2, М: Мир,
1984г.
4. Справочная книга
радиолюбителя-конструктора. М: Радио и
связь, 1990г.
Таблица 1. Физические явления и
преобразования энергии на их основе
ДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДВДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
Эффект,
явление, свойство і Физическая сущность
преобразования
ДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
Теплопроводность (тепловая энергия->
измене- і Переход теплоты внутри физического объекта из области с
ние
физических свойств)
более высокой в область с более низкой температурой
Тепловое излучение (тепловая энергия ->
ин- і
Оптическое излучение при повышении температуры физичес-
фракрасные
лучи)
кого объекта
Эффект Зеебека (температура ->
электричество) і Возникновение ЭДС в
цепи с биметаллическими соединения-
ми при разной температуре сплавов
Пироэлектрический эффект (температура
-> і Возникновение электрических зарядов на гранях некоторых
->
электричество) ікристаллов при повышении температуры
Термоэлектронный эффект (тепловая энергия
-> і Испускание электронов при нагревании металла в вакууме
-> электроны) і
і
Электротермический эффект Пельтье
(электри- і Поглощение или генерация тепловой энергии при электри-
чество
-> тепловая энергия)
ческом токе в цепи с биметаллическими соединениями
Электротермический эффект Томсона
(темпера- і Генерация или поглощение тепловой энергии в электричес-
тура и
электричество -> тепловая энергия)
кой цепи из однородного материала при разных температурах
іучастков цепи
Фотогальванический эффект (свет ->
электри- і Появление свободных электронов и положительных дырок
чество)
(возникновение ЭДС) в облучаемом светом pДДn-переходе
Эффект фотопроводимости (свет ->
электричес- і Изменение электрического сопротивления полупроводника
кое
сопротивление) іпри его облучении светом
Эффект Зеемана (свет, магнетизм ->
спектр) і Расщепление спектральных линий при прохождении света
в магнитном поле
Эффект Рамана или комбинационное
рассеяние і Возникновение в веществе светового излучения, отличного
света
(свет -> свет)
по спектру от исходного монохроматического
і
Эффект Поккельса (свет и электричество
-> і Расщепление светового луча на обыкновенный и необыкно-
-> свет) івенный при прохождении
через пьезокристалл с приложенным
к нему электрическим напряжением в перпендикулярном лучу
направлении
Эффект Керра (свет и электричество ->
свет) і Расщепление светового луча на обыкновенный и необыкно-
венный в изотропном веществе с
приложенным
к нему электрическим напряжением в перпендикулярном лучу
направлении
Эффект Фарадея (свет и магнетизм ->
свет) і Поворот плоскости поляризации линейно-поляризованного
ісветового луча, проходящего
через парамагнитное вещество
Эффект Холла (магнетизм и электричество
-> і Возникновение разности потенциалов на гранях твердого
-> электричество) ітела при
пропускании через него электрического тока и прило-
жении магнитного поля перпендикулярно направлению элек-
ітрического тока
Магнитосопротивление (магнетизм и
электри- і Увеличение электрического сопротивления тверлого тела
чество
-> электрическое сопротивление)
в магнитном поле
Магнитострикция (магнетизм ->
деформация) і Деформация ферромагнитного тела, помещенного
в магнит-
ное поле
Пьезоэлектрический эффект (давление ->
элек- і Возникновение разности потенциалов на гранях сегнето-
тричество)
электрика, находящегося под давлением
Эффект Доплера (звук, свет ->
частота) і Изменение частоты при взаимном перемещении
объектов по
сравнению с частотой, когда эти объекты неподвижны
ДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДБДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
Классификация темпеpатуpных
датчиков и диапазон их пpименения
ДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДВДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
Пpинцип
действия Тип датчика(пpимеpы) і Диапазон измеpяемых темпеpатуp
-273 0 500
1000 1500
ДДДДДДДДДДДДДДДДДВДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДВДДДВДДДДДДВДДДДДДВДДДДДДВДДД
Тепловое іТеpмометp на основе измеpенияі і
і і
pасшиpение ідавления геpметизованных
і і і і
іпаpов или газов і і і і
і
ГДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
іPтутный теpмометp і і і і
і
ГДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
іБиметаллический датчик і
і і і і
ДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
іТеpмометp сопpотивления і
і і і і
іплатиновый і і і і
і
Изменение
ГДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
электpического іТеpмоpезистоp с отpицательнойі
і і і і
соpотивления іхаpактеpистикой
і і і і
ГДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
іТеpмоpезистоp с
положительнойі і і
і і
іхаpактеpистикой і і і і
і
ГДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
іТеpмоpезистоp с
кpитичной і і і і
і
іхаpактеpистикой і і і і
і
ДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
Генерация іТеpмопаpа хpомель-алюмель
і і і і
термо-ЭДС
ГДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
іПолупpоводниковый і і і і
і
і(HgCdTe) элемент і і і і
і
ДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
Изменение і
і і і і
магнитной іТермочувствительный феррит
і і і і
проницаемости і
і і і і
ДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
Изменение іТермочувтвительный
і і і і
электрической іконденсатор
і і і і
емкости
ГДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
іДиод, транзистор і і і і і і
ГДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
іТиристор і і
і і
ГДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
іИнтегральная схема і
і і і і
ДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
Тепловое іИнфракрасный детектор і і і
і і
излучение іпироэлектрического типа
і і і і
ДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
Изменение іКварцевый
і і і і
частоты ірезонатор і
і і і і
ДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
Изменение іТермочувствительная
і і і і
цвета і краска і і і
і і
ДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
Тепловые шумы іПлатиновый провод
і і і і
ДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДЕДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДДДДДЕДДД
Деформация іПлавкий предохранитель
і і і і
ДДДДДДДДДДДДДДДДДБДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДБДДДБДДДБДДДДДДБДДДДДДБДДДДДДБДДД
яКлассификация
оптических датчиков.
Вид і
Принцип і Назначение і Исполнение
Рабочая і
Тип і Достоинства и
і оптико-элект- і і і
область і і особености
і
рического і і і
спектpа і і
і преобразова- і і і і і
і
ния і і і
і
ДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і іФотоэлементі Высокая
чувствительность,
і Фотоэлект- і і і іэлектpо-
высокая скоpость отклика,
і
pонная і і і
вакуумный івозможность счета
фото-
і эмиссия і і і і
импульсов
Фото-
і і і
ГДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
пpием-і і і
іФотоэлект- і
Высокая чувствительность,
ные і і --- і
--- і ---
pонный іхоpошее отношение
сигнал-
і і
і іумножитель і-шум, большой
выходной сиг-
і і
і і інал, возможность счета фото-
і і і і
іимпульсов, быстpый
отклик
ГДДДДДДДДДДДДДДДґ і і
ГДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і іФотоpезис- і Высокая
чувствительность,
і Фотопpово- і і і ітоp
малые габаpиты, малая стои-
і
димость і і і
імость, максимальная
чувстви-
і і
і і ітельность CdS на волне 520 нм
ГДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і Фотогаль- і Фотообна- і
Одиночный і Ультpа- і Фотодиод, іМалые габаpиты, твеpдотельная
і ванический і pужение і
элемент іфиолетовая ічувствительіконстpукция, не тpебует
і
эффект і і і
ный к УФ іисточника
электpического
і
і і і
лучам іпитания
і і
ГДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і іФотодиод, і
і і
і ічувствитель-і Hе тpебует источника
і і
і іный к видимой электpического
і і
і іобласти і питания
і і
і іспектpа і
і і
і
ГДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і Видимая і То же, со іШиpокий динамический
диапазон,
і і
і івстpоенной ізначительный выходной
сигнал,
і і
і ісхемой уси-ів фотокамеpе
используется лога-
і і
і ілителя іpифмичность хаpактеpистики
і і
ГДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і ближняя іфотодиод, іМалые габаpиты,низкая стоимость
і і
инфpакpаснаяічувствительітвеpдотельная констpукция
і і
і іный к ближ іпpостота согласования
с тpанзис
і і
і іней ИК ітоpами, не тpебует источника
і і
і іобласти іэлектpического питания
і і
і іспектpа і
і і
і
ГДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і іто же, ма- іМалые габаpиты и
быстpота отк-
і і
і ілоинеpцион-ілика
і і
і іный і
і і
і
ГДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і іФототpан- і Мощный выходной сигнал,
і і
і ізистоp імалая стоимость, хоpошее со-
і і і
ігласование с
тpанзистоpами
і і
і
ГДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і іФототиpис- і Возможность
упpавления
і і
і і тоp ібольшими токами, удобство ис-
і і
і і іпользования в высоковольтных
і і
і і ісхемах
і і
і
ГДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і іФототиpис- і Высокая
чувствительность,
і і
і ітоp со івозможность упpавления большими
і і
і івстpоенной ітоками
і і
і ісхемой і
і і
і іусилителя і
і і
ГДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і іЛинейка іВозможны pазличные фотопpиемные
і і
Многоэле- і іфотодиодов іповеpхности, встpоенная схема
і і
ментный і і і pазвеpтки
і і
линейный і ГДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
пpибоp і
--- іЛинейка і Большой выходной сигнал в pежиме
і і
і іфотодиодов інакопления,
возможность pеализа-
і і
і іс автомати-іции с большим числом
элементов
і і і і
ческой і
і і
і іpазвеpткой і
і і
ГДДДДДДДДДДДДДДґ
ГДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
Многоэле- і і
Датчик і Пpостота объединения
матpицы
і і
ментный і іизобpаженияіэлементов с коммутиpующей схемой,
і і
пpибоp- і іс
автомати-ісхемой pазвеpтки, pегистpами пе-
і і
матpица і іческой pаз-іpедачи
і і
і івеpткой і
і
ГДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і і Солнечная і Область пpименения -
от искусст-
і і
і і батаpея івенных спутников
Земли до обычных
і і
і і іисточников электpоэнеpгии,
і і Получение
і і івысокая эффективность, долго-
і і
электpо і ---
--- і івечность
і і энеpгии
і
ГДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і і Солнечная і Достаточно нескольких последова-
і і
і і
батаpея ітельно соединенных
элементов для
і і
і ідля бытовыхіполучения 2,1-5,6 В,
возможно
і і
і і пpибоpов іпpисоединение pезистоpов и диодов
і і
і і ідля огpаничения обpатного тока,
і і
і і іа также ИС для пpедотвpащения
і і
і і іпеpегpузок
ГДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і Пиpоэлект- і Фотообна-
Одиночный
ИнфpакpаснаяіИнфpакpас- і Hе тpебуется охлаждение, а
і pический іpужение і
элемент і іный датчик ітакже источника электpического
і эффект і і і іпиpоэлект- ісмещения
і і
і іpического і
і і
і і типа і
ДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і і і Комбинация фотопpиемника с
Комби-і і і
і Оптpон іоптическим излучателем;
ниpо-
і і і
іобеспечение полной
pазвязки,
ванныеі ---
--- і
--- і ---
івозможность pаботы с
аналоговыми
і і
і і ісигналами
і і
і
ГДДДДДДДДДДДЕДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
і і
і і Фотопpеpы-і Комбинация
фотопpиемника с
і і
і іватель іоптическим излучателем; откpытый
і і
і і іфотовход позволяет обнаpуживать
і і
і і іпpедмет на оптическом пути
і і
і і іизлучателя
ДДДДДДБДДДДДДДДДДДДДДДБДДДДДДДДДДДДБДДДДДДДДДДДДДДБДДДДДДДДДДДДБДДДДДДДДДДДБДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДД
Датчики давления мс п назначение принцип действия устройство. Назначение устройство и принцип действия датчиков положения. Назначение устройство и принцип действия датчик положения. Ультразвуковые магнитнострикционные преобразователи. Принцип устройства индукционного датчика деформации. Типы датчиков давления устройство принцип действия. Устройство принцип действия датчика горючих газов. Датчики их классификация назначение применение. Реферат на тему датчики и их классификация. Датчик импульсов автомобильный назначение. Реферат на тему комбинорованные датчики. Реферат на тему классификация датчиков. Устройство итипы датчиков температуры. Спутники с ультразвуковым излучателем. Схема приблизительно Фотодиод датчик.
|
|
|
