Главная » Каталог    
рефераты Разделы рефераты
рефераты
рефератыГлавная

рефератыБиология

рефератыБухгалтерский учет и аудит

рефератыВоенная кафедра

рефератыГеография

рефератыГеология

рефератыГрафология

рефератыДеньги и кредит

рефератыЕстествознание

рефератыЗоология

рефератыИнвестиции

рефератыИностранные языки

рефератыИскусство

рефератыИстория

рефератыКартография

рефератыКомпьютерные сети

рефератыКомпьютеры ЭВМ

рефератыКосметология

рефератыКультурология

рефератыЛитература

рефератыМаркетинг

рефератыМатематика

рефератыМашиностроение

рефератыМедицина

рефератыМенеджмент

рефератыМузыка

рефератыНаука и техника

рефератыПедагогика

рефератыПраво

рефератыПромышленность производство

рефератыРадиоэлектроника

рефератыРеклама

рефератыРефераты по геологии

рефератыМедицинские наукам

рефератыУправление

рефератыФизика

рефератыФилософия

рефератыФинансы

рефератыФотография

рефератыХимия

рефератыЭкономика

рефераты
рефераты Информация рефераты
рефераты
рефераты

Фоторезисторы


ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой
непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого
определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов
лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение
электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина
фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне
проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового
материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами.
Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в
несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три
порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала
фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые,
сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления
обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации.
В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
Основные характеристики фотосопротивлений.
1. Рабочая
площадь.
2. Темновое
сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных
приборах  от 1000 до 100000000 ом.
3. Удельная
чувствительность
         где:                                                                                                             
  
-фототок,
равный разности токов в темноте и на свету;
             Ф -
световой поток;
        U - приложенное
напряжение.
4. Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1  до 1000 в ).
5. Среднее относительное изменение сопротивления, % -
     обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %,
   
, где :
-сопротивление
в темноте;
    -сопротивление
в освещенном состоянии.
6. Средняя кратность
изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением
:
 
 
Применение:
устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства
автоматики.
Схема включения
фоторезисторов: Сопротивление нагрузки Источник питания
 
При определенном
освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в
цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо
устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки ).
С П И С О К   Л И Т
Е Р А Т У Р Ы
1. Белов И. Ф., Дрызго Е. В. Справочник по радиодеталям. М., «
Советское радио», 1973.
2. Шифман Д. Х.
Системы автоматического управления. М., «Энергия», 1965.  
рефераты Рекомендуем рефератырефераты

     
Рефераты @2011